Intel 官方技術開發部門負責人 Mark Bohr 透露此項被稱為「Tri-Gate」的電晶體約可有效提升約 37% 效能,而如在同樣的運作環境條件之下,整體電源損耗約僅有傳統平面電晶體的一半。


3d



大家會不會很好奇"" 可有效提升約 37% 效能,而如在同樣的運作環境條件之下,整體電源損耗約僅有傳統平面電晶體的一半。"" 這是哪來的 ???



Intel 圖解

黃色圓點 : 矽半導體 , 矽的空軌域 , 可以流通電子

黃色薄片 : 電晶體的 GATE , 

銀色 : 金屬導電


運作原理如下

當上方金屬層沒有通電的時候 ,會使銅GAT不帶電 , 黃色薄片下方 矽半導體的小圓點部分 空軌域沒有阻礙 , 就可以通電 ...


2d1.jpg


當上方金屬層通電的時候 ,會使銅GAT導電 把下方 矽半導體 空軌域電子吸住 ,  就跟煞車一樣 . 下方電子就無法流動 , 當上方金屬快速切換 , 就是我們現在所講的時脈 ,早期加電壓 可以把電子吸住的力度 , 但是加得太高上面金屬層的電流就會貫穿黃色薄片 , 導致短路 , 也就是一般所知的處理器燒毀 .


上方金屬的電 , 穿過 黃色薄片 流到電路裡面 , 一般稱之為漏電 , 現在處理器電晶體上幾乎無法避免 , 因為現在黃色薄片越來越薄 , 但 頻率越高 , 黃色薄片就不能厚 , 有玩車的人就知道 , 越厚煞車越不利 , 會拖 , 要高時脈 所以只能薄... ( 看來玩車跟處理器是一法通萬法通 , 所以車車要上氮氣 , 跟處理器上氮氣 是一樣的對吧 . ) 


2d2.jpg


回到 Tri-Gate 做成這形狀 , 煞車面積變大 , 所以電壓 ( 吸力 ) 可以下降 , 因為電壓低 , 擊穿的漏電也會下降  , 所以可以省電 , 也因為電壓超級低 , 所以幾乎可以做到 0 漏電 .


3d1.jpg  


有清楚嗎 ? 沒清楚的話 看下面的影片 XDDDD



不過講實話 , 原來處理器也可以用到機械的概念 , 真有趣 !!! 我想 Intel 下次應該會出現有毛邊增加抓地力的 GATE吧

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( 還是早就有了 ? )



這篇很簡單
很OK
不過我覺得該影片最有喜感的
是最後那句
看來今天下班的路很遠
畢竟是奈米大小......
走出攝影棚的尺度瞬間暴增不少啊XD

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